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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利碳化硅晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010900701.6，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权碳化硅晶体管及其制备方法是由罗烨辉;魏伟;赵艳黎;王志成;郑昌伟;龚芷玉;李诚瞻;罗海辉设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本说明书公开一种碳化硅晶体管及其制备方法。具体地，所述制备方法包括：在所述碳化硅外延层上形成Poly薄层和第一掩膜层；所述第一掩膜层包括第一注入窗口和掩膜标记；利用所述第一掩膜层对所述Poly薄层进行非穿透刻蚀形成Poly注入掩蔽层；注入第一离子，在所述碳化硅外延层与所述第一导电类型掩蔽区对应的位置形成第一导电类型区；以所述Poly层标记为对准参照，在所述第一导电类型区内形成第二导电类型区；其中，所述第一导电类型区超出所述第二导电类型区的区域为沟道结构。本说明书的技术方案，能够有效控制所述第二导电类型区相对所述第一导电类型区的偏差，从而提高晶体管的对准精度，有益于短沟道碳化硅晶体管的制备。

本发明授权碳化硅晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 提供碳化硅外延层； 在所述碳化硅外延层上形成Poly薄层和第一掩膜层；所述第一掩膜层包括第一注入窗口和掩膜标记； 利用所述第一掩膜层对所述Poly薄层进行非穿透刻蚀形成Poly注入掩蔽层；所述Poly注入掩蔽层包括与第一注入窗口对应的第一导电类型掩蔽区和与所述掩膜标记对应的Poly层标记； 注入第一离子，在所述碳化硅外延层与所述第一导电类型掩蔽区对应的位置形成第一导电类型区； 去除所述第一掩膜层，以所述Poly层标记为对准参照，在所述第一导电类型区内形成第二导电类型区；其中，所述第一导电类型区超出所述第二导电类型区的区域为沟道结构；其中， 所述第一导电类型掩蔽区的厚度为50nm~200nm；所述Poly层标记的深度为450nm~800nm； 所述碳化硅外延层包括对准标记；所述第一掩膜层的制备步骤包括： 在所述Poly薄层上沉积第一初始掩膜层； 以所述对准标记为对准参照，所述Poly薄层为刻蚀截止层，对所述第一初始掩膜层进行光刻形成包括第一注入窗口和掩膜标记的第一掩膜层； 所述对准标记和所述Poly层标记位于划片道区域，且所述对准标记和所述Poly层标记的延伸方向相互垂直； 所述以所述Poly层标记为对准参照，在所述第一导电类型区内形成第二导电类型区的步骤，具体包括： 以所述Poly层标记为对准参照，在所述Poly注入掩蔽层上形成第二掩膜层；所述第二掩膜层包括第二注入窗口且所述第二注入窗口位于所述第一导电类型掩蔽区内； 注入第二离子，在所述第一导电类型区内与所述第二注入窗口对应的位置形成第二导电类型区。

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