美光科技公司P·凡蒂尼获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于存储器装置的分割柱架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114144899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080047945.2，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权用于存储器装置的分割柱架构是由P·凡蒂尼;F·佩里兹;L·弗拉汀设计研发完成，并于2020-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于存储器装置的分割柱架构在说明书摘要公布了：本申请案涉及用于存储器装置的分割柱架构。存储器装置可包含经布置有呈一图案的导电触点的衬底及穿过导电及绝缘材料的交替层的开口，此可减小所述开口之间的间距，同时维持电介质厚度以使电压持续施加于阵列。在蚀刻材料之后，可将绝缘材料沉积于沟槽中。可移除所述绝缘材料的部分以形成其中沉积单元材料的开口。导电柱可垂直于所述导电材料的平面及所述衬底延伸，且耦合到导电触点。所述导电柱可经划分以形成第一及第二柱。
本发明授权用于存储器装置的分割柱架构在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体制造的方法，其包括： 形成穿过绝缘材料的第一开口以暴露第一电介质层、导电层及第二电介质层； 在所述第一开口中形成第一硫属化物组件及与所述第一硫属化物组件分离的第二硫属化物组件，所述第一硫属化物组件及所述第二硫属化物组件两者接触所述导电层、所述第一电介质层及所述第二电介质层； 将用于形成与所述第一硫属化物组件及所述第二硫属化物组件接触的柱的导电材料沉积到所述第一开口中；及 通过蚀刻所述导电材料来形成第二开口以将所述柱分成接触所述第一硫属化物组件的第一柱及接触所述第二硫属化物组件的第二柱。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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