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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010943482.X，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法及装置是由李春雨;胡艳鹏;卢一泓;李琳设计研发完成，并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法及装置，属于半导体技术领域，解决了现有技术中栅沟槽底部区域会产生多晶硅残留的问题。本发明去除多晶硅牺牲栅的方法采用多晶硅刻蚀剂对多晶硅进行湿法刻蚀形成无多晶硅残留的沟槽，所述多晶硅刻蚀剂中含有异丙醇。本发明含有异丙醇的多晶硅刻蚀剂可以明显降低表面张力，使之与栅沟槽底部的残留多晶硅充分接触，加强反应，从而解决多晶硅的残留问题。

本发明授权一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法，其特征在于，采用多晶硅刻蚀剂对多晶硅进行湿法刻蚀形成无多晶硅残留的沟槽，所述多晶硅刻蚀剂中含有异丙醇，所述异丙醇降低多晶硅刻蚀剂表面张力；所述多晶硅刻蚀剂还含有碱液，碱液采用去离子水稀释；碱液与去离子水的体积比为1：2～1：10，异丙醇体积为碱液和水的混合液体积的0.5％～5％； 所述刻蚀剂的刻蚀温度为30℃或80℃，刻蚀剂流量为600～2500mlmin； 所述后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的方法是通过一种后栅工艺中去除多晶硅牺牲栅的装置来实现，所述装置包括化学药品混合罐、药品供给线、药品加热过滤循环管线和刻蚀剂供给线； 化学药品混合罐上部设置有全部或部分药品供给线； 化学药品混合罐一侧设置有药品加热过滤循环管线；用于对多晶硅刻蚀剂所需的化学药品进行加热和过滤处理；沿循环方向，药品加热过滤循环管线上依次设置有循环泵、加热器和过滤器；所述加热器控制加热温度精度±0.5，所述过滤器过滤0.2μm以上颗粒； 化学药品混合罐底部设置有刻蚀剂供给线，用于供给刻蚀剂；化学药品混合罐上部设置有部分药品供给线时，其余药品供给线设置在刻蚀剂供给线上； 所述药品供给线包括去离子水供给线、碱液供给线和异丙醇供给线； 去离子水供给线和碱液供给线分别设置在化学药品混合罐上部，异丙醇供给线设置在刻蚀剂供给线上；在所述异丙醇供给线上设置第二加热器； 所述进行湿法刻蚀，栅沟槽底部区域刻蚀没有多晶硅残留，也没有造成栅氧化层过蚀刻的问题。

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