广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司高峰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司申请的专利一种系统级芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361042B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111677290.X，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种系统级芯片及其制作方法是由高峰;叶甜春;朱纪军;李彬鸿;罗军;赵杰;王云设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种系统级芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种系统级芯片及其制作方法，通过衬底基板的多晶硅衬底实现高阻率衬底，及通过衬底基板的单晶硅衬底实现低阻率衬底；进而能够通过高阻率的多晶硅衬底支持射频芯片结构的功能，及通过低阻率的单晶硅衬底支持逻辑控制芯片结构的功能，达到在系统级芯片中实现逻辑控制芯片结构和射频芯片结构兼容的目的。
本发明授权一种系统级芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种系统级芯片的制作方法，其特征在于，包括： 提供单晶硅衬底； 在所述单晶硅衬底上形成埋氧层，所述埋氧层划分为逻辑区域和射频区域； 在所述埋氧层背离所述单晶硅衬底一侧形成芯片结构，所述芯片结构包括对应所述逻辑区域的逻辑控制芯片结构和第一连线焊盘，及对应所述射频区域的射频芯片结构及第二连线焊盘； 去除所述单晶硅衬底对应所述射频区域的部分形成镂空区； 在所述埋氧层朝向所述单晶硅衬底一侧，形成位于所述镂空区处的多晶硅衬底； 在所述单晶硅衬底及所述多晶硅衬底背离所述芯片结构一侧形成封装线路层，所述封装线路层通过过孔与所述第一连线焊盘和所述第二连线焊盘相连通。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司，其通讯地址为：510535 广东省广州市开发区开源大道136号A栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励