桑迪士克科技有限责任公司翁照男获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利包含虚设金属焊盘的半导体管芯及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114746997B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080080031.6，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权包含虚设金属焊盘的半导体管芯及其形成方法是由翁照男设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含虚设金属焊盘的半导体管芯及其形成方法在说明书摘要公布了：第一半导体管芯包括：第一半导体器件，该第一半导体器件位于第一衬底上方；第一互连层级介电层，该第一互连层级介电层嵌入第一金属互连结构并位于该第一半导体器件上方；第一焊盘层级介电层，该第一焊盘层级介电层嵌入第一接合焊盘并位于该第一互连层级介电层上方；以及第一边缘密封结构，该第一边缘密封结构横向地包围该第一半导体器件。该第一边缘密封结构中的每个第一边缘密封结构从该第一衬底竖直地延伸到该第一焊盘层级介电层的远侧表面，并且包括相应第一焊盘层级环结构，该相应第一焊盘层级环结构围绕该第一半导体器件连续地延伸。至少一行第一虚设金属焊盘在一对相应第一边缘密封结构之间嵌入在该第一焊盘层级介电层中。嵌入在第二半导体管芯中的第二焊盘层级环结构可接合到该行第一虚设金属焊盘。
本发明授权包含虚设金属焊盘的半导体管芯及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种结构，所述结构包括第一半导体管芯，其中所述第一半导体管芯包括： 第一半导体器件，所述第一半导体器件位于第一衬底上； 第一互连层级介电层，所述第一互连层级介电层嵌入第一金属互连结构并位于所述第一半导体器件上方； 第一焊盘层级介电层，所述第一焊盘层级介电层嵌入第一接合焊盘并位于所述第一互连层级介电层上方； 第一边缘密封结构，所述第一边缘密封结构横向地包围所述第一半导体器件，其中所述第一边缘密封结构中的每个第一边缘密封结构从所述第一衬底竖直地延伸到包括所述第一接合焊盘的接合表面的水平平面，并且包括相应第一焊盘层级环结构，所述相应第一焊盘层级环结构围绕所述第一半导体器件连续地延伸；和 至少一行第一虚设金属焊盘，所述至少一行第一虚设金属焊盘嵌入在所述第一焊盘层级介电层中，其中所述第一虚设金属焊盘未电连接到所述第一边缘密封结构或所述第一金属互连结构。
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