西安微电子技术研究所杨鹏翮获国家专利权
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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种锑杂质掺杂晶圆及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114999902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210699483.3，技术领域涉及：H01L21/22；该发明授权一种锑杂质掺杂晶圆及其制备方法是由杨鹏翮;卢泽宇;赵帆;臧继超;侯斌设计研发完成，并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锑杂质掺杂晶圆及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种锑杂质掺杂晶圆及其制备方法，本申请采用双温区法分别控制源区的温度场和晶圆区的扩散温度，通过对源区温度的精确控制可以保证氧化锑的挥发蒸汽浓度，通过对晶圆区温度的精确控制，可以在保证晶圆表面质量的同时保证杂质扩散的纵向深度；相对于现有技术中的工艺方法，本申请可以显著提高晶圆表面的杂质掺杂浓度及扩散结深，对NPN晶体管的收集极的串联电阻降低有明显效果；同时，本申请通过一步工艺步骤即可实现锑杂质的高精度掺杂，同时每炉可加工200片晶圆，大幅提高了生产效率，降低了生产加工的成本。
本发明授权一种锑杂质掺杂晶圆及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锑杂质掺杂晶圆制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在晶圆上生长掩蔽膜，根据预设电路光刻、腐蚀出埋锑扩散区域并清洗； S2：将清洗后的晶圆置入石英炉管的恒温区内采用双温区法进行加热，待温度稳定后加入氧化锑，提高石英炉管温度值，并通入氧气；石英炉管中加入氧化锑的时需要将氧化锑置入石英源碗中，从石英炉管的石英管尾部以10-25nmmin的速度推至源区的恒温区内；所述双温区法加热为：石英炉管中的源区加热温度为680-720℃，晶圆区的目标温度为1100-1150℃，升温速率均为6-10℃min，且通入流量为2-6Lmin的氮气； S3：待晶圆和氧化锑充分掺杂后，降低石英炉管温度至预设值后，完成高精度锑杂质掺杂晶圆。
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