中国电子技术标准化研究院刘喆获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子技术标准化研究院申请的专利一种基于紧缩场的天线谐波乱真辐射发射类测试方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115389844B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211032020.8,技术领域涉及:G01R31/00;该发明授权一种基于紧缩场的天线谐波乱真辐射发射类测试方法是由刘喆;叶畅;蔡利花;孙美秋;项道才;王酣设计研发完成,并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于紧缩场的天线谐波乱真辐射发射类测试方法在说明书摘要公布了:本发明属于电磁兼容测试领域,具体地说,涉及一种利用紧缩场完成天线谐波乱真辐射发射类测试的测试方法,该方法可用于替代传统的远场测试法,该方法包括:步骤1布置紧缩场测试系统;步骤2配置测试系统的校验路径;步骤3计算测试系统的空损Lreal;步骤4将Lreal与理想空损Lideal进行对比,当Lreal与Lideal的差值满足设定值时,进入步骤5,否则,返回步骤3;步骤5配置测试系统的测量路径;步骤6调节待测EUT天线的指向,保证测试值为最大值;步骤7计算发射机的基波ERP;步骤8测量谐波和乱真辐射发射ERP的值,并与基波ERP比较,判断待测EUT天线谐波乱真辐射发射是否满足GJB151B的要求,从而完成测试。
本发明授权一种基于紧缩场的天线谐波乱真辐射发射类测试方法在权利要求书中公布了:1.一种基于紧缩场的天线谐波乱真辐射发射类测试方法,所述方法包括: 步骤1布置紧缩场测试系统,包括:由馈源和反射面组成的紧缩场、矢量网络分析仪、接收机和信号发生器; 步骤2将已知增益的天线固定在紧缩场静区,配置测试系统的校验路径; 步骤3计算测试系统的空损Lreal; 步骤4将Lreal与理想空损Lideal进行对比,当Lreal与Lideal的差值满足设定值时,进入步骤5,否则,返回步骤3; 步骤5将待测EUT天线固定在紧缩场静区,配置测试系统的测量路径; 步骤6调节待测EUT天线的指向,保证测试值为最大值; 步骤7计算发射机的基波ERP; 步骤8测量谐波和乱真辐射发射ERP的值,并与基波ERP比较,判断待测EUT天线谐波乱真辐射发射是否满足GJB151B的要求,从而完成测试; 所述步骤3具体包括: 利用矢量网络分析仪测出传输系数S21,设馈源天线增益为Gf,静区接收天线增益为Gr,线缆损耗绝对值为Lloss,实测空损的计算式为: Lreal=S21-Gt-Gf+Lloss 或所述步骤3具体包括: 将馈源天线接入已知电平的信号Pk,利用接收机读出待测频率点的示数Pr,设馈源天线增益为Gf,静区接收天线增益为Gr,线缆损耗绝对值为Lloss,实测空损的计算式为: Lreal=Pr-Pk-Gt-Gf+Lloss。
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