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龙图腾网获悉华羿微电子股份有限公司申请的专利Split Gate MOSFET器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394854B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211003755.8，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权Split Gate MOSFET器件及制备方法是由袁力鹏;苏毅;常虹;完颜文娟;唐呈前设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本Split Gate MOSFET器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了SplitGateMOSFET器件及制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。包括：第一导电外延层内设置第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽从外至内包括第一栅氧化层和第一多晶硅层；所述第二沟槽从下至上被第二栅氧化层分为上部分和下部分，所述下部分从外至内包括第一栅氧化层和第一多晶硅层，所述上部分从外至内包括第二多晶硅层，第二栅氧化层和隔离氧化层；所述第一导电外延层上依次设置第二栅氧化层、氮氧化硅层、隔离氧化层和金属层；所述第二沟槽上、所述第一沟槽和所述第二沟槽之间、所述第二沟槽远离所述第一沟槽的一侧设置接触孔。

本发明授权Split Gate MOSFET器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.SplitGateMOSFET器件制备方法，其特征在于，包括： 在第一沟槽的顶部、顶部两侧形成第二光刻胶层，通过刻蚀方法对第二沟槽内的第一栅氧化层、第二沟槽的顶部两侧的所述第一栅氧化层进行刻蚀；将第二光刻胶层去除，通过热氧化工艺在所述第二沟槽内、所述第二沟槽的顶部两侧、所述第一沟槽的顶部以及所述第一沟槽的顶部两侧形成第二栅氧化层； 在所述第二沟槽内且位于所述第二栅氧化层的上层形成第二多晶硅层；在第一沟槽的顶部、第一沟槽的顶部两侧、第二沟槽的顶部以及第二沟槽的顶部两侧形成氮氧化硅层和第三光刻胶层；通过刻蚀方法对所述第二沟槽顶部以及第二沟槽内的氮氧化硅层、第二栅氧化层和第一多晶硅层进行刻蚀； 通过离子注入，在所述第二沟槽和所述第一沟槽之间形成第二导电类型体区，在所述第二沟槽远离第一沟槽的一侧从下至上形成第二导电类型体区和第一导电类型源区；在所述氮氧化硅层的上方形成隔离氧化层，并在所述隔离氧化层上制备接触孔； 所述通过离子注入之前，还包括： 通过热氧化工艺，以使位于所述第二沟槽的所述第二多晶硅层的内侧被氧化生成第二栅氧化层，第一多晶硅层的上表面被氧化生成第二栅氧化层； 其中，位于第一多晶硅层上表面的所述第二栅氧化层与位于第二多晶硅层下方的第一栅氧化层相接触。

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