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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利P面出光的micro芯片制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458642B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211234896.0，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权P面出光的micro芯片制备方法及芯片是由郝茂盛;陈朋;袁根如;张楠;马后永;马艳红;岑岗;魏帅帅设计研发完成，并于2022-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本P面出光的micro芯片制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片制备领域，公开了一种P面出光micro芯片制备方法及芯片。本发明所公布的P面出光micro芯片制备方法中，通过第一沟槽的设计分割了芯片，使得在剥离大面积芯片时应力得到缓解，并且在用化学湿法剥离技术时，化学药液进入路径变短，解决了在剥离蓝宝石衬底过程中外延层易损伤的问题，提高了micro芯片的成品率。

本发明授权P面出光的micro芯片制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种P面出光的micro芯片制备方法，其特征在于，包括： S1：提供一DPSS衬底，所述DPSS衬底包括生长基底以及位于所述生长基底上的图形化的掩膜层，并在所述DPSS衬底的图形化的掩膜层上进行外延生长，形成外延层；所述外延层包括由下往上依次形成在所述DPSS衬底上的过渡层、N型外延层、发光层以及P型外延层； S2：将所述外延层粘合至一转移基板上； S3：对所述转移基板进行刻蚀，以在所述转移基板以及所述外延层上形成一贯穿所述转移基板以及所述外延层的第一沟槽；所述第一沟槽由若干列沟槽组成，且若干所述列沟槽中均包括有若干行沟槽，且相邻的所述列沟槽的行沟槽不相通； S4：通过化学湿法剥离所述生长基底，或者，通过手或者刀片剥离所述生长基底； S5：对所述外延层进行减薄处理； S6：在减薄后的外延层上制备N电极； S7：将所述N电极通过键合方式至一COMS基板上； S8：剥离所述转移基板； S9：在所述P型外延层上制备像素点； S10：在所述像素点的间隔中填充绝缘反射材料； S11：在所述P型外延层以及所述绝缘反射材料上制备第一导电层； S12：在所述第一导电层上的非像素点区域制备P电极，形成所述P面出光的micro芯片。

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