上海先稼半导体科技有限公司孙浩然获国家专利权
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龙图腾网获悉上海先稼半导体科技有限公司申请的专利多结太阳电池的光学涂层结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223758670U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520226740.0，技术领域涉及：H10F71/00；该实用新型多结太阳电池的光学涂层结构是由孙浩然;朱明星;陆伟伟设计研发完成，并于2025-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本多结太阳电池的光学涂层结构在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体薄膜技术领域，公开了一种多结太阳电池的光学涂层结构，包括：太阳电池芯片、连接在所述太阳电池芯片上的减反射膜及连接在所述减反射膜上的第四材料层；所述减反射膜包括顺序堆叠在所述太阳电池芯片上的至少一层第一材料层、至少一层第二材料层及至少一层第三材料层；其中，所述第四材料层包括亚微米光栅及光栅图案沟槽，所述亚微米光栅连接在所述第三材料层背离所述第二材料层的一侧，所述光栅图案沟槽在所述亚微米光栅上由所述亚微米光栅背离所述第三材料层的一侧连接并连通至所述第三材料层，本申请提高多结太阳电池的光电转换效率，降低多结太阳电池的太阳光反射率。
本实用新型多结太阳电池的光学涂层结构在权利要求书中公布了：1.一种多结太阳电池的光学涂层结构，其特征在于，包括： 太阳电池芯片、连接在所述太阳电池芯片上的减反射膜及连接在所述减反射膜上的第四材料层； 所述减反射膜包括顺序堆叠在所述太阳电池芯片上的至少一层第一材料层、至少一层第二材料层及至少一层第三材料层； 其中，所述第四材料层包括亚微米光栅及光栅图案沟槽，所述亚微米光栅连接在所述第三材料层背离所述第二材料层的一侧，所述光栅图案沟槽在所述亚微米光栅上由所述亚微米光栅背离所述第三材料层的一侧连接并连通至所述第三材料层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海先稼半导体科技有限公司，其通讯地址为：200000 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区老芦公路536号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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