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龙图腾网获悉普瑞(无锡)研发有限公司申请的专利一种发光二极管结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223758672U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423175382.X，技术领域涉及：H10H20/816；该实用新型一种发光二极管结构是由王锋;张秀敏;李宏磊;陈晓冰;杜高云;黄慧诗设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种发光二极管结构。本实用新型包括衬底；外延结构，设置于衬底上，包括沿衬底依次设置的缓冲层、第一半导体层、活性层和第二半导体层；外延结构包括中间部以及位于中间部两侧的侧部，中间部还包括间隔设置的中间部一和中间部二；沿侧部两侧分别设置有第一外延台阶；中间部一两侧形成第二外延台阶；中间部二被构造为第二凹槽；电流阻挡层，包括第一电流阻挡层和第二电流阻挡层；透明导电层，覆盖于第一电流阻挡层；P焊盘结构，包括P型扩展条；N焊盘结构，包括第一N型扩展条以及第二N型扩展条。本实用新型能够有效减少挡光效应，降低电流拥堵风险，同时改善LED器件的亮度与长期可靠性。

本实用新型一种发光二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括： 衬底1； 外延结构2，设置于所述衬底1上，包括沿所述衬底1依次设置的缓冲层21、第一半导体层22、活性层23和第二半导体层24； 其中，所述外延结构2包括中间部以及位于所述中间部两侧的侧部2a，所述中间部还包括间隔设置的中间部一2b和中间部二2c； 沿所述侧部2a两侧分别设置有从所述第二半导体层24延伸至所述第一半导体层22的第一外延台阶201a；所述中间部一2b两侧形成第二外延台阶201b且与邻近的所述第一外延台阶201a之间形成第一凹槽202a；所述中间部二2c被构造为第二凹槽201c，所述第二凹槽201c延伸至邻近其两侧的所述第一外延台阶201a； 电流阻挡层4，包括第一电流阻挡层41和第二电流阻挡层42，所述第一电流阻挡层41分别设置在所述侧部2a表面上，所述第二电流阻挡层42覆盖所述中间部一2b的表面及侧面； 透明导电层5，设置于所述侧部2a表面上且覆盖于所述第一电流阻挡层41； P焊盘结构6，包括与所述第一电流阻挡层41表面接触的P型扩展条61； N焊盘结构7，包括与所述第二电流阻挡层42表面接触的第一N型扩展条71以及与所述第二凹槽201c底壁接触的第二N型扩展条72。

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