日月光半导体制造股份有限公司宋嘉濠获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体装置封装和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111463186B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910962645.6，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权半导体装置封装和其制造方法是由宋嘉濠;陈轩宇;林裕凯设计研发完成，并于2019-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置封装和其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置封装包含半导体裸片、第一导电元件、第二导电元件、金属层，以及第一再分布层RDL。所述半导体裸片包含第一表面和与所述第一表面对置的第二表面。所述第一导电元件安置在所述半导体裸片的所述第二表面上。所述第二导电元件与所述半导体裸片相邻安置。所述金属层安置在所述第二导电元件上，且电连接到所述第二导电元件。所述第一RDL安置在所述金属层上，且电连接到所述金属层。
本发明授权半导体装置封装和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置封装，其包括： 半导体裸片，其包括顶表面和底表面； 第一导电元件，其安置在所述半导体裸片的所述底表面上且包括顶表面和底表面； 第二导电元件，其与所述半导体裸片相邻安置且包括顶表面和底表面； 囊封体，其囊封所述半导体裸片、所述第一导电元件和所述第二导电元件，所述囊封体包括顶表面和底表面，其中所述囊封体的所述顶表面与所述半导体裸片的所述顶表面共面，其中所述囊封体的所述底表面与所述第一导电元件的所述底表面和所述第二导电元件的所述底表面共面； 金属层，其安置在所述第二导电元件上，其中所述金属层直接接触所述囊封体的所述顶表面、所述半导体裸片的所述顶表面和所述第二导电元件的所述顶表面；以及 第一再分布层，其安置在所述金属层上且电连接到所述金属层，其中所述金属层直接接触所述第一再分布层，且所述金属层是所述第一再分布层的晶种层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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