三星电子株式会社沈揆理获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利可变电阻存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111477609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010075061.X，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权可变电阻存储器装置是由沈揆理;罗太熙设计研发完成，并于2020-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本可变电阻存储器装置在说明书摘要公布了：一种可变电阻存储器装置，包括：沿第一方向布置的存储器单元堆叠，所述存储器单元堆叠包括第一存储器单元堆叠和第二存储器单元堆叠。存储器单元堆叠中的每一个包括多条字线和连接到多条字线中的每一条的存储器单元，多条字线中的每一条在与第一方向交叉的第二方向上延伸，并且沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向布置。存储器单元中的每一个包括开关元件和可变电阻元件。第一存储器单元堆叠的多条字线中的每一条在第一方向上具有第一厚度，第一厚度小于第二存储器单元堆叠的多条字线中的每一条在第一方向上的第二厚度。
本发明授权可变电阻存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种可变电阻存储器装置，包括： 衬底；以及 堆叠结构，其位于所述衬底的顶表面上，沿第一方向布置， 其中，所述堆叠结构中的每一个包括： 字线，其沿平行于所述衬底的顶表面的第二方向延伸，并且沿垂直于所述衬底的顶表面的第三方向布置，所述字线包括第一子字线和在所述第一方向上与所述第一子字线间隔开的第二子字线，所述第一方向与所述第二方向和所述第三方向交叉， 位线，其位于所述第一子字线和所述第二子字线之间，并沿所述第二方向布置，以及 存储器单元，其位于所述第一子字线和所述位线的交叉点处以及所述第二子字线和所述位线的交叉点处，其中，所述存储器单元中的每一个包括开关元件和可变电阻元件， 其中，所述堆叠结构包括第一堆叠结构和第二堆叠结构，所述第一堆叠结构包括所述第一子字线和所述第二子字线，所述第二堆叠结构包括第三子字线与第四子字线， 其中，所述第一子字线至所述第四子字线中的至少一条子字线在所述第一方向上的宽度不同于所述第一子字线至所述第四子字线中的其它子字线在所述第一方向上的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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