罗伯特·博世有限公司C·齐默获国家专利权
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龙图腾网获悉罗伯特·博世有限公司申请的专利用于确定在晶片上生产的器件的特征的方法和器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112651206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011070639.9，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权用于确定在晶片上生产的器件的特征的方法和器件是由C·齐默;D·拉多维克;E·S·施密特;M·屈内尔;M·赫尔曼;刘文庆;M·鲁比谦设计研发完成，并于2020-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于确定在晶片上生产的器件的特征的方法和器件在说明书摘要公布了：用于确定在晶片上生产的器件的特征的方法和器件。本发明涉及一种用于推断在晶片1上生产的器件2的器件特征的计算机实现的方法；包括以下步骤：‑提供S2将晶片位置与器件特征相关联的晶片特征模型，所述晶片位置指示晶片1上生产的器件2的位置，其中晶片特征模型被配置为通过一个或多个晶片特征图来被训练，并且特别地被配置成高斯过程模型；‑提供S3在样本晶片位置处的至少一个器件2的样本器件特征；‑取决于所提供的晶片特征模型，推断S4晶片1的至少一个其他器件的器件特征。
本发明授权用于确定在晶片上生产的器件的特征的方法和器件在权利要求书中公布了：1.用于确定在晶片1上生产的器件2的器件特征y的计算机实现的方法；包括以下步骤： -提供S2将晶片位置与器件特征y相关联的晶片特征模型，所述晶片位置指示晶片1上生产的器件2的位置，其中晶片特征模型被配置为通过一个或多个晶片特征图来被训练，并且被配置成高斯过程模型； -提供S3在样本晶片位置处的至少一个器件2的样本器件特征； -取决于所提供的晶片特征模型，确定S4晶片1的至少一个其他器件的器件特征y，其中，所述至少一个器件的样本器件特征y是在晶片位置的所选离散子集xsamp处获得的，晶片位置的所选离散子集xsamp是借助于主动学习选择的，并且最大化晶片上所有样本在给定规格极限内部的似然。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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