富士电机株式会社泷泽直树获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112928080B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011178660.0,技术领域涉及:H10W40/22;该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由泷泽直树设计研发完成,并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法,其维持能够保持一定散热性的焊锡厚度。具有金属基底板30和陶瓷电路基板21,金属基底板30在正面与中心线CL分离地设定有配置区,陶瓷电路基板21通过焊锡25a、25b设置于配置区。此时,焊锡25a、25b的远离该中心线CL的端部的厚度比靠近该中心线CL的端部的厚度厚。在焊锡25a、25b的外侧的区域,缩孔的产生得到了抑制。通过这样的制造方法,可抑制焊锡25a、25b的量的增加,并且也抑制焊锡25a、25b的热阻的增大,还可以防止半导体装置10的散热性的降低。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,其特征在于,具有: 金属基底板,其在正面与中心部分离地设定有配置区;以及 基板,其通过焊锡设置于所述配置区, 所述焊锡的远离所述中心部的端部的厚度比靠近所述中心部的端部的厚度厚, 所述金属基底板的所述配置区从所述中心部沿着预定的方向设定有多个,并且所述基板分别通过所述焊锡设置于所述配置区, 在所述配置区之中从所述中心部沿着所述预定的方向处于最外部的所述配置区中的所述焊锡的远离所述中心部的端部的厚度比靠近所述中心部的端部的厚度厚。
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