美高森美SOC公司薛丰良获国家专利权
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龙图腾网获悉美高森美SOC公司申请的专利单事件干扰稳定的存储器单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113597642B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980093382.8，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权单事件干扰稳定的存储器单元是由薛丰良;F·扎维;P·辛加拉朱;V·恩古延;J·L·麦科勒姆;V·赫克特设计研发完成，并于2019-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本单事件干扰稳定的存储器单元在说明书摘要公布了：单事件干扰SEU稳定的存储器单元包括：锁存器部分，该锁存器部分包括交叉耦合的锁存器；以及该锁存器部分中的至少一个交叉耦合电路路径，该至少一个交叉耦合电路路径包括串联连接的第一对竖直电阻器。
本发明授权单事件干扰稳定的存储器单元在权利要求书中公布了：1.一种单事件干扰SEU稳定的存储器单元，所述存储器单元包括： 第一p沟道晶体管，所述第一p沟道晶体管耦合在第一电压供应节点与第一互补输出节点之间； 第一n沟道晶体管，所述第一n沟道晶体管耦合在所述第一互补输出节点与第二电压供应节点之间； 第二p沟道晶体管，所述第二p沟道晶体管耦合在所述第一电压供应节点与第二互补输出节点之间，其中所述第一p沟道晶体管和所述第一n沟道晶体管的栅极连接在一起并耦合到所述第二互补输出节点；以及 第二n沟道晶体管，所述第二n沟道晶体管耦合在所述第二互补输出节点与所述第二电压供应节点之间，其中所述第二p沟道晶体管和所述第二n沟道晶体管的栅极连接在一起并通过串联连接的第一对原始的电阻式随机存取存储器ReRAM装置耦合到所述第一互补输出节点， 其中所述第一互补输出节点和所述第二互补输出节点中的一个互补输出节点耦合到可编程只读存储器PROM单元，所述PROM单元包括可编程且可擦除的ReRAM装置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美高森美SOC公司，其通讯地址为：美国亚利桑那州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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