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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利用于片上聚焦柱矢量光束的超表面结构及片上检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113917582B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111195049.3，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权用于片上聚焦柱矢量光束的超表面结构及片上检测装置是由刘佩军;付亚男;闵长俊;张聿全;袁小聪设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于片上聚焦柱矢量光束的超表面结构及片上检测装置在说明书摘要公布了：一种用于片上聚焦柱矢量光束的超表面结构，其包括：多个第一自旋响应结构单元，其中每个第一自旋响应结构单元包括：长条形的第一纳米狭缝；和长条形的第二纳米狭缝，其中第二纳米狭缝的长轴垂直于第一纳米狭缝的长轴，多个第一纳米狭缝的中心点分别沿半环形轨迹以均匀间隔进行排列，多个第二纳米狭缝分别位于半环形轨迹的径向外侧，并且对于同一个第一自旋响应结构单元，第一纳米狭缝的长轴与第二纳米狭缝的长轴之间的角平分线与半环形轨迹在第一纳米狭缝的中心点处的切线的方向相同，以使得柱矢量光束垂直照射超表面结构时聚焦在超表面结构上的一点处。还提出了一种包括如上超表面结构的检测柱矢量光束的阶数的片上检测装置。

本发明授权用于片上聚焦柱矢量光束的超表面结构及片上检测装置在权利要求书中公布了：1.一种用于片上聚焦柱矢量光束的超表面结构，其特征在于，包括：多个第一自旋响应结构单元，其中每个所述第一自旋响应结构单元包括： 长条形的第一纳米狭缝；和 长条形的第二纳米狭缝，其中所述第二纳米狭缝的长轴垂直于所述第一纳米狭缝的长轴，所述第一纳米狭缝的尺寸与所述第二纳米狭缝的尺寸相同； 其中，多个所述第一纳米狭缝的中心点分别沿上半环形轨迹以均匀间隔进行排列，多个所述第二纳米狭缝分别位于所述上半环形轨迹的径向外侧，并且 对于同一个所述第一自旋响应结构单元，所述第一纳米狭缝的长轴与所述第二纳米狭缝的长轴之间的角平分线与所述半环形轨迹在所述第一纳米狭缝的中心点处的切线的方向相同，以使得所述柱矢量光束垂直照射所述超表面结构时聚焦在所述超表面结构上的一点处； 所述超表面结构还包括多个第二自旋响应结构单元，其中每个所述第二自旋响应结构单元包括： 长条形的第三纳米狭缝；和 长条形的第四纳米狭缝，其中所述第四纳米狭缝的长轴垂直于所述第三纳米狭缝的长轴， 其中，多个所述第三纳米狭缝的中心点分别沿下半环形轨迹以均匀间隔进行排列，多个所述第四纳米狭缝分别位于所述下半环形轨迹的径向外侧，所述下半环轨迹为与所述上半环轨迹间隔传输波长的整数倍设置的同心半环形轨迹， 对于同一个所述第二自旋响应结构单元，所述第三纳米狭缝的长轴与所述第四纳米狭缝的长轴之间的角平分线与所述下半环形轨迹在所述第三纳米狭缝的中心点处的切线的方向相同， 其中：当所述多个第一自旋响应结构单元中最左侧的第一自旋响应结构单元呈倒置人字形时，所述多个第二自旋响应结构单元中最左侧的第二自旋响应结构单元呈人字形；当所述多个第一自旋响应结构单元中最左侧的第一自旋响应结构单元呈人字形时，所述多个第二自旋响应结构单元中最左侧的第二自旋响应结构单元呈倒置人字形； 根据如下公式计算得到所述柱矢量光束的阶数m： ，其中，x为聚焦点与上半环形轨迹的原点之间的距离。

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