南亚科技股份有限公司丘世仰获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972186B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110792448.1，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权半导体结构及其制备方法是由丘世仰设计研发完成，并于2021-07-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底、一介电层、至少一主特征、至少一第一导电特征、至少一第一间隙子、多个第二导电特征以及多个第二间隙子。该介电层设置在该基底上。该主特征设置在该介电层中，并接触该基底。该第一导电特征设置在该介电层中以及在该主特征上。该第一间隙子插置在该介电层与该第一导电特征的一部分之间。所述第二导电特征设置在该介电层中以及在该第一导电特征的任一侧上。所述第二间隙子插置在该介电层与所述第二导电特征的各部分之间。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 一基底； 一介电层，设置在该基底上； 至少一主特征，设置在该介电层中，并接触该基底； 至少一第一导电特征，设置在该介电层中，并位在该主特征上； 至少一第一间隙子，插置在该介电层与该第一导电特征的一部分之间； 多个第二导电特征，设置在该介电层中，以及在该第一导电特征的任一侧上；以及 多个第二间隙子，插置在该介电层与所述第二导电特征的一部分之间； 其中该介电层包括多个第一介电特征，位在该基底上以及在该主特征的任一侧上，其中一第一间距是等于在二相邻第一介电特征的各中心线之间的距离，一第二间距等于从其中一第一导电特征到一最接近的第二导电特征加上其中一第一或第二导电特征的一宽度，以及该第二间距为该第一间距的一半。
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