桑迪士克科技有限责任公司E·沙龙获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利两侧相邻存储器单元干扰抑制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114596897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110690899.4，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权两侧相邻存储器单元干扰抑制是由E·沙龙;I·阿尔罗德;A·巴扎尔斯基设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本两侧相邻存储器单元干扰抑制在说明书摘要公布了：本发明题为“两侧相邻存储器单元干扰抑制”。本发明公开了用于非易失性存储系统中的两侧相邻存储器单元干扰抑制的技术。在读取目标存储器单元期间，存储系统在将合适幅值的读取参考电压施加到目标字线以对来自该目标字线的另一侧上的第二未选择字线上的相邻单元的干扰进行补偿的同时，将合适幅值的读取通过电压施加到与目标字线相邻的第一未选择字线以对来自该第一未选择字线上的相邻单元的干扰进行补偿。读取通过电压可对由于在对目标单元进行编程之后对第一未选择字线上的单元进行编程时添加的电荷造成的干扰进行补偿。读取参考电压可对由于目标单元附近的电荷移动造成的干扰进行补偿，该干扰由存储在第二未选择字线上的单元中的电荷引起。
本发明授权两侧相邻存储器单元干扰抑制在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括： 控制电路，所述控制电路被配置为连接到以下项：连接到第一字线的第一非易失性存储器单元、连接到与所述第一字线相邻的第二字线的第二非易失性存储器单元、以及连接到与所述第一字线相邻的第三字线的第三非易失性存储器单元，所述控制电路被配置为： 将两个或更多个读取参考电压施加到所述第一字线，以及针对所述两个或更多个读取参考电压中的每一者将两个或更多个读取通过电压施加到所述第二字线，其中所述两个或更多个读取参考电压与相同的数据状态相关联；以及 基于针对来自所述两个或更多个读取参考电压的第一电压和来自所述两个或更多个读取通过电压的第二电压的组合感测每个相应第一存储器单元来确定所述相应第一存储器单元的条件，所述第一电压取决于所述第三字线上的相邻单元的状态，所述第二电压取决于所述第二字线上的相邻单元的状态。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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