西安交通大学方华靖获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于MXene电极的自供电光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114665024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210287522.9，技术领域涉及：H10K30/00；该发明授权一种基于MXene电极的自供电光电探测器及其制备方法是由方华靖;马海龙;汪宏设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于MXene电极的自供电光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于MXene电极的自供电光电探测器及其制备方法，1将半导体晶片切割至合适尺寸，清洗干净后晾干备用；2制备二维材料MXene胶体溶液；3采用空气等离子体处理步骤1得到的半导体晶片表面提高其亲水性，并在半导体晶片表面通过旋涂或提拉涂膜的方法涂布MXene胶体溶液，形成一层透明的MXene薄膜；4在步骤3所得产品表面一半区域继续采用滴涂或喷涂的方法涂布MXene胶体溶液，在室温下自然晾干，使其形成不透明的MXene厚膜；5将导电胶带分别贴在步骤4所得产品的MXene薄膜和厚膜边缘作为测试电极。本发明采用全溶液工艺，操作简单，成本低，且所制备的器件具有优异的性能。
本发明授权一种基于MXene电极的自供电光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于MXene电极的自供电光电探测器，其特征在于，以半导体晶片作为光敏层，并在其表面不同区域涂布透明MXene薄膜和不透明的MXene厚膜； 所述不同区域是指在晶片一半区域涂布透明MXene薄膜，在另一半区域涂布不透明MXene厚膜，且两种膜相连接； 所述MXene薄膜，厚度为5-10nm； 所述MXene厚膜，厚度为95-100nm。
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