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龙图腾网获悉南京芯长征科技有限公司申请的专利高可靠性SiC沟槽型功率半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695556B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210323538.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权高可靠性SiC沟槽型功率半导体器件及制备方法是由杨飞;吴凯;张广银;徐真逸;任雨设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本高可靠性SiC沟槽型功率半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高可靠性SiC沟槽型功率半导体器件及制备方法。其包括SiC半导体基板以及元胞区，元胞区内设置若干横贯所述元胞区的第二导电类型掺杂埋层；元胞区内的元胞沟槽呈长条状且元胞沟槽间相互平行，元胞沟槽的长度方向与第二导电类型掺杂埋层的长度方向相互垂直；在所述功率半导体器件的截面上，第二导电类型掺杂埋层包括埋层第一主面以及与所述埋层第一主面正对应的埋层第二主面，其中，埋层第二主面与SiC半导体基板的背面正对应，第二导电类型掺杂埋层的埋层第二主面深度不低于元胞沟槽的槽底深度。本发明能有效降低元胞沟槽底部的电场，确保元胞沟槽底部栅氧化层的可靠性，能降低沟道导通电阻，与现有工艺兼容，安全可靠。

本发明授权高可靠性SiC沟槽型功率半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高可靠性SiC沟槽型功率半导体器件，包括第一导电类型的SiC半导体基板以及制备于所述SiC半导体基板中心区的元胞区，元胞区包括若干并联分布的元胞，元胞区内的元胞采用沟槽结构；其特征是： 在所述功率半导体器件的俯视平面上，元胞区内设置若干横贯所述元胞区的第二导电类型掺杂埋层，第二导电类型掺杂埋层在元胞区内依次排布且相互平行；元胞区内的元胞沟槽呈长条状且元胞沟槽间相互平行，元胞沟槽的长度方向与第二导电类型掺杂埋层的长度方向相互垂直； 在所述功率半导体器件的截面上，第二导电类型掺杂埋层包括埋层第一主面以及与所述埋层第一主面正对应的埋层第二主面，其中，埋层第二主面与SiC半导体基板的背面正对应，第二导电类型掺杂埋层的埋层第二主面深度不低于元胞沟槽的槽底深度； 在所述功率半导体器件的俯视平面上，第二导电类型掺杂埋层的宽度为0.5μm～5μm； 在元胞区内设置横贯所述元胞区的第二导电类型基区，元胞沟槽贯穿所第二导电类型基区，元胞沟槽的槽底位于第二导电类型基区的下方； 在功率半导体器件的截面上，第二导电类型基区位于元胞沟槽的两侧且与所述元胞沟槽的外侧壁接触；在元胞沟槽两侧的第二导电类型基区内设置第一导电类型源区，第一导电类型源区与元胞沟槽的外侧壁接触；在元胞沟槽内设置沟槽栅单元，第一导电类型源区以及第二导电类型基区与SiC半导体基板正面上的源极金属电连接； 所述第二导电类型基区位于第二导电类型掺杂埋层的埋层第一主面上方。

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