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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730804B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006221.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体装置是由吉田崇一设计研发完成，并于2021-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，其具备：晶体管部，其设置于半导体基板，并在半导体基板的正面侧具有第一导电型的发射区，在半导体基板的背面侧具有第二导电型的集电区；二极管部，其设置于半导体基板，并在半导体基板的背面侧具有第一导电型的阴极区；多个沟槽部，其在与半导体基板的正面平行的面上，以沿预先设定的延伸方向延伸的方式设置；以及发射电极，其设置于半导体基板的上方，并与半导体基板的正面电连接，将从用于将发射电极与半导体基板的正面电连接的接触孔的延伸方向上的端部朝向半导体基板的背面的直线设为第一垂线，将相对于第一垂线呈预先设定的角度θ1并且通过接触孔的延伸方向上的端部E1的直线设为第一直线，第一直线与半导体基板的背面相交的位置M1在延伸方向上位于阴极区的外侧。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 晶体管部，其设置于半导体基板，并在所述半导体基板的正面侧具有第一导电型的发射区，在所述半导体基板的背面侧具有第二导电型的集电区； 二极管部，其设置于所述半导体基板，并在所述半导体基板的背面侧具有第一导电型的阴极区； 多个沟槽部，其在与所述半导体基板的正面平行的面上，以沿预先设定的延伸方向延伸的方式设置；以及 发射电极，其设置于所述半导体基板的上方，并与所述半导体基板的正面电连接， 将从接触孔的所述延伸方向上的端部E1朝向所述半导体基板的背面的直线设为第一垂线，所述接触孔用于将所述发射电极与所述半导体基板的正面电连接， 将相对于所述第一垂线呈预先设定的角度θ1并且通过所述接触孔的所述延伸方向上的所述端部E1的直线设为第一直线， 将所述第一直线与所述半导体基板的背面相交的位置设为位置M1， 所述位置M1在所述延伸方向上位于所述阴极区的外侧， 所述角度θ1为20°以上且80°以下， 在所述半导体基板的正面侧设置有正面侧寿命减小区， 所述正面侧寿命减小区的所述延伸方向上的端部E2位于比所述接触孔的所述延伸方向上的所述端部E1更靠所述阴极区侧的位置， 在所述半导体基板的正面，所述晶体管部中的所述多个沟槽部的延伸方向与所述二极管部中的所述多个沟槽部的延伸方向相同。

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