桑迪士克科技有限责任公司P·拉布金获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利含有二维电荷载气沟道的铁电存储器器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114762117B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080082464.5，技术领域涉及：H10B51/20；该发明授权含有二维电荷载气沟道的铁电存储器器件及其制造方法是由P·拉布金;东谷政昭;A·卡利佐夫设计研发完成，并于2020-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本含有二维电荷载气沟道的铁电存储器器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铁电存储器器件，其包括二维电子气体沟道、栅极电极以及位于所述栅极电极与所述二维电子气体沟道之间的铁电元件。
本发明授权含有二维电荷载气沟道的铁电存储器器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种单一三维存储器器件，包括： 绝缘层和导电层的交替堆叠，位于衬底上方； 存储器开口，竖直延伸穿过所述交替堆叠； 二维电子气体沟道，位于所述存储器开口内部； 介电芯，由所述沟道环绕；和 多个铁电存储器元件，位于所述沟道与所述导电层之间， 其中所述二维电子气体沟道包括金属二硫属化物沟道， 其中： 所述铁电存储器元件包括管状铁电介电层的竖直延伸穿过所述交替堆叠的所述导电层的部分；并且 所述管状铁电介电层包括： 第一铁电介电层，具有第一带隙能量；和 第二介电层，具有大于所述第一带隙能量的第二带隙能量，并且位于所述第一铁电介电层与所述金属二硫属化物沟道之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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