波主有限公司张泰镇获国家专利权
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龙图腾网获悉波主有限公司申请的专利半导体发光元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114762133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080083219.6，技术领域涉及：H10H29/85；该发明授权半导体发光元件的制造方法是由张泰镇设计研发完成，并于2020-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光元件的制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体发光元件制造方法METHODOFMANUFACTURINGALIGHTEMITTINGDEVICE，包括如下步骤：提供依次形成有第一半导体区域、有源区域、第二半导体区域的生长基板；在第二半导体区域侧接合第一透光性基板；从第一半导体区域侧去除生长基板；利用粘合层而将第二透光性基板附着到去除了生长基板的第一半导体区域侧；从第二半导体区域侧激光烧蚀第一透光性基板；露出一部分第一半导体区域；及在露出的第一半导体区域和第二半导体区域上分别形成倒装芯片的第一电极和倒装芯片的第二电极。
本发明授权半导体发光元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件的制造方法，该半导体发光元件是倒装芯片，该制造方法包括如下步骤： 提供依次形成有具备N型的第一半导体区域、通过电子和空穴的复合而生成光的有源区域及具备P型的第二半导体区域的生长基板； 在第二半导体区域侧接合第一透光性基板； 将生长基板从第一半导体区域侧去除； 利用粘合层而将第二透光性基板附着到去除了生长基板的第一半导体区域侧； 将第一透光性基板从第二半导体区域侧激光烧蚀即LaserAblation； 去除第二半导体区域和有源区域的一部分而露出一部分第一半导体区域；及 在露出的第一半导体区域和第二半导体区域上分别形成倒装芯片的第一电极和倒装芯片的第二电极， 在接合第一透光性基板的步骤之前包括在第二半导体层形成保护层的步骤， 第一透光性基板具备牺牲层， 通过金属结合层而将牺牲层和保护层接合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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