长江先进存储产业创新中心有限责任公司李松获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利相变存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210252105.0，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权相变存储器及其制作方法是由李松;刘峻;杨海波;彭文林;刘广宇设计研发完成，并于2022-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种相变存储器及相变存储器的制造方法，所述相变存储器包括：相变存储单元；所述相变存储单元至少包括相变存储层；隔热结构；所述隔热结构至少部分覆盖所述相变存储层的侧壁，且所述隔热结构用于减缓所述相变存储层的散热；修复层；所述修复层至少位于所述隔热结构与所述相变存储单元之间，且所述修复层用于修复所述隔热结构和所述相变存储单元之间的结构缺陷。
本发明授权相变存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器，其特征在于，包括： 相变存储单元；所述相变存储单元至少包括相变存储层； 隔热结构；所述隔热结构至少部分覆盖所述相变存储层的侧壁，且所述隔热结构用于减缓所述相变存储层的散热；所述隔热结构的材料包括碳化硅、锗化硅、硒化硅、硫化硅、碲化硅、碲化锡； 隔离结构；所述隔离结构覆盖所述隔热结构的侧壁； 填充层；所述填充层覆盖所述隔离结构远离所述相变存储单元一侧的侧壁； 修复层；所述修复层的材料包括氮化硼；所述修复层包括第一子修复层和第二子修复层； 所述第一子修复层位于所述隔热结构与所述相变存储单元之间，用于修复所述隔热结构和所述相变存储单元之间的结构缺陷；所述第一子修复层使得所述相变存储单元和所述隔热结构结合的更加紧密； 所述第二子修复层位于所述填充层与所述隔离结构之间，用于修复所述填充层和所述隔离结构之间的结构缺陷；所述第二子修复层使得所述填充层与所述隔离结构结合的更加紧密。
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