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龙图腾网获悉松山湖材料实验室;东莞理工学院申请的专利功率半导体器件及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210259292.5，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权功率半导体器件及其应用是由陈昭铭;夏经华;张安平设计研发完成，并于2022-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率半导体器件及其应用，其中器件包括：基体，基体具有相对的第一表面和第二表面，基体内设有接触区、源区、屏蔽区以及第一浮空区，源区与接触区的一侧表面与基体的第一表面平齐，源区与接触区的另一侧表面与屏蔽区接触，源区的侧壁与接触区的侧壁接触，源区、屏蔽区以及基体包绕接触区，第一浮空区整体较屏蔽区更靠近于基体的第二表面。上述功率半导体器件在基体内中设计了第一浮空区，可以对栅介质层起到保护作用并进一步配合直接使用漂移区作为积累型沟道，而不需要使用离子注入形成，屏蔽区和源区可以使用同一离子注入工艺形成，同时由于积累型沟道中没有经过离子注入，所以晶格缺陷少、电子迁移率高以及导通电阻减少。

本发明授权功率半导体器件及其应用在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括： 基体，所述基体具有相对的第一表面和第二表面，所述基体内设有接触区、源区、屏蔽区以及第一浮空区，所述源区与所述接触区的一侧表面与所述基体的第一表面平齐，所述源区与所述接触区的另一侧表面与所述屏蔽区接触，所述源区的侧壁与所述接触区的侧壁接触，所述源区、所述屏蔽区以及所述基体包绕所述接触区，所述第一浮空区整体较所述屏蔽区更靠近于所述基体的第二表面； 栅介质层，所述栅介质层设置在所述源区与所述基体的第一表面上，所述第一浮空区位于所述栅介质层的正下方； 栅极，所述栅极设置在所述栅介质层上； 其中，所述源区具有第一导电类型，所述接触区、所述第一浮空区与所述屏蔽区具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反； 还包括漏电流限制区，所述漏电流限制区设置在所述基体内，所述屏蔽区与所述源区的侧壁与所述漏电流限制区的侧壁接触，所述接触区、所述源区以及所述漏电流限制区的一侧表面与所述基体的第一表面平齐，所述漏电流限制区与所述栅介质层接触，所述漏电流限制区具有第一导电类型，所述漏电流限制区的掺杂浓度小于所述基体的掺杂浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人松山湖材料实验室;东莞理工学院，其通讯地址为：523000 广东省东莞市松山湖大学创新城A1栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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