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长鑫存储技术有限公司郑分成获国家专利权

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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利等离子体处理装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115621109B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110807355.1,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权等离子体处理装置是由郑分成设计研发完成,并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

等离子体处理装置在说明书摘要公布了:本申请实施例公开了一种等离子体处理装置;包括:静电吸盘,所述静电吸盘外围具有一连接面;边缘调节环,环绕所述静电吸盘的周向设置,且所述边缘调节环的内壁与所述静电吸盘的外壁相对;边缘环,环绕所述静电吸盘设置,设置在所述连接面上方,且位于所述边缘调节环上方;其中,所述边缘调节环包括:环状本体和朝所述边缘环突出的环状凸起;所述环状本体相对靠近所述静电吸盘。

本发明授权等离子体处理装置在权利要求书中公布了:1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括: 静电吸盘,所述静电吸盘外围具有一连接面; 边缘调节环,环绕所述静电吸盘的周向设置,且所述边缘调节环的内壁与所述静电吸盘的外壁相对; 边缘环,环绕所述静电吸盘设置,设置在所述连接面上方,且位于所述边缘调节环上方; 其中,所述边缘调节环包括:环状本体和朝所述边缘环突出的环状凸起;所述环状本体相对靠近所述静电吸盘;所述边缘调节环还包括:朝远离所述边缘环的方向凹陷的凹槽,所述凹槽位于所述环状本体相对靠近所述边缘环的表面,且位于所述环状凸起和所述静电吸盘之间; 第一导热结构,位于所述环状本体与所述边缘环之间,用于粘接所述边缘调节环和所述边缘环,还用于在所述环状本体和所述边缘环之间传递热量; 所述第一导热结构填充所述凹槽的部分区域,所述第一导热结构底部与所述凹槽底部之间存在空隙,所述空隙的体积小于所述凹槽的体积; 冷却组件,位于所述静电吸盘下方,用于冷却所述静电吸盘; 第二导热结构,位于所述环状本体内,且与所述冷却组件接触,用于向所述冷却组件传导热量,所述第二导热结构是由P型半导体和N型半导体组成的PN结。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司,其通讯地址为:230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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