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龙图腾网获悉盖列斯特有限公司申请的专利从N-烷基取代的全氢化环三硅氮烷制备的硅基薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115917037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180038469.2，技术领域涉及：C23C16/24；该发明授权从N-烷基取代的全氢化环三硅氮烷制备的硅基薄膜是由A·E·卡洛耶罗斯;B·C·阿克尔斯设计研发完成，并于2021-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本从N-烷基取代的全氢化环三硅氮烷制备的硅基薄膜在说明书摘要公布了：本发明提供了低温至中温气相沉积工艺用于沉积硅基薄膜，例如氮化硅膜、碳氮化硅膜、氧化硅膜和硅膜。所述的工艺包括：在单个循环中将基材加热到预定温度；将含有气相N‑烷基取代的全氢化环三硅氮烷的前体提供给含有基材的反应区，通过吸附到基材表面形成前体的单层，并且将反应区中基材上吸附的单层暴露于共反应物的远程或直接的软等离子体。被吸附的前体单层与软等离子体反应，并通过由于或由基材表面诱导法实现的解离和或分解而转化为硅基薄膜的离散原子层或分子层。然后重复该循环以形成所需厚度的硅基薄膜。

本发明授权从N-烷基取代的全氢化环三硅氮烷制备的硅基薄膜在权利要求书中公布了：1.一种用于在沉积室的反应区中将氮化硅薄膜沉积到基材上的方法，所述的方法包括，在单个循环中： 选择一种前体，该前体包含在每个氮原子上至少含有两个碳原子的N-烷基取代的全氢化环三硅氮烷； 将基材加热至200℃至650℃的温度； 将基材维持在200℃至650℃； 将包含气相的所述前体与载气和或在真空下提供至包含所述的基材的反应区；其中前体发生物理吸附并部分分解，部分分解包括在与基质接触时从前驱体中去除至少一种配体，但不会导致前驱体完全解离； 通过吸附到基材表面形成部分分解的N-烷基取代的全氢化环三硅氮烷的单层，其通过物理吸附作用将部分分解的N-烷基取代的全氢化环三硅氮烷单层吸附到基底表面；和 在部分分解单层形成后，将反应区中基材上吸附的单层暴露于含氮反应物的远程或直接的软等离子体，在每个沉积循环中执行单个等离子体激活过程； 其中被吸附的部分分解N-烷基取代的全氢化环三硅氮烷单层与软等离子体反应，并通过选自能量转移、远程等离子体应用、直接等离子体应用、氧化和或还原的基材表面诱导法实现的解离和或分解而转化为氮化硅薄膜的离散原子层或分子层； 其中，氮化硅薄膜的离散原子层或分子层的生长发生在单个循环期间，不需要任何潜伏期；和 通过使用惰性气体和或真空的吹扫步骤从反应区中除去转化的副产物。

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