本源量子计算科技(合肥)股份有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉本源量子计算科技(合肥)股份有限公司申请的专利一种超导电路的制备方法、量子芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119072217B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310641746.X，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一种超导电路的制备方法、量子芯片是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;张辉设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超导电路的制备方法、量子芯片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种超导电路的制备方法、量子芯片，其中，所述制备方法包括以下步骤：先提供一真空腔体以容纳用于制备超导电路的衬底；再形成吸附结构于真空腔体的内部，以吸附真空腔体内的气体杂质；然后形成超导金属层于所述衬底的表面；再氧化所述超导金属层，以使得所述超导金属层的表面形成氧化膜；再图形化所述超导金属层以获得超导电路。本申请所提出的超导电路的制备方法，于衬底表面形成超导金属层之前，在真空腔体的内部形成吸附结构，利用吸附结构吸附真空腔体内残留的氧气、水汽等气体杂质，进一步降低真空腔体内气体杂质的含量，从而大大降低在衬底上形成的超导金属层的杂质含量，从而有效保证制得的超导电路具有良好的电学性能。
本发明授权一种超导电路的制备方法、量子芯片在权利要求书中公布了：1.一种超导电路的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一真空腔体以容纳用于承载所述超导电路的衬底1； 形成吸附结构于所述真空腔体的内部，以吸附所述真空腔体内的气体杂质； 形成超导金属层2于所述衬底1的表面； 图形化所述超导金属层2以获得所述超导电路； 所述形成吸附结构于所述真空腔体的内部的步骤包括： 在所述真空腔体内蒸镀吸附材料并使所述吸附材料沉积在所述真空腔体的内部，以获得所述吸附结构，所述吸附材料为金属钛，所述吸附结构为钛金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人本源量子计算科技(合肥)股份有限公司，其通讯地址为：230008 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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