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龙图腾网获悉成都芯盛集成电路有限公司申请的专利一种提高SSD盘内DRAM利用效率的方法、系统及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119847443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411992590.0，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种提高SSD盘内DRAM利用效率的方法、系统及存储介质是由丁跞;杨万云;骆文杰设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高SSD盘内DRAM利用效率的方法、系统及存储介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提高SSD盘内DRAM利用效率的方法、系统及存储介质，属于固态硬盘技术领域。方法包括：SSD将盘内DRAM以虚拟内存的方式暴露给主机，同时也以虚拟内存的方式使用DRAM来存放FTL；SSD处理虚拟内存的缺页中断，并统计缺页中断次数，检测盘内DRAM使用是否存在内存紧张；如果盘内DRAM内存紧张，则触发缺页中断并通知主机，让主机决策是否缩减内存；主机通过命令告知SSD需要使用多少内存，如果盘内DRAM依然不能满足，则SSD缩减FTL的内存使用数量，协商主机对盘内DRAM的使用数量。通过本发明，SSD内部的闲置DRAM能够被最大限度地利用起来，避免资源浪费，有效解决系统存在的瓶颈，且在高效利用闲置DRAM时，系统性能未受到影响。

本发明授权一种提高SSD盘内DRAM利用效率的方法、系统及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种提高SSD盘内DRAM利用效率的方法，其特征在于：包括以下步骤： SSD将盘内DRAM以虚拟内存的方式暴露给主机，同时也以虚拟内存的方式使用DRAM来存放FTL；当FTL访问FTL虚拟内存空间时，先根据虚拟内存地址查找FTL页表，如果FTL页表有对应的物理内存地址，则直接访问，如果没有，则产生缺页中断，执行缺页中断处理流程； SSD处理虚拟内存的缺页中断，并统计缺页中断次数，检测盘内DRAM使用是否存在内存紧张；如果盘内DRAM内存紧张，则通过给主机发送中断的方式来通知主机，让主机决策是否缩减内存； 主机通过命令告知SSD需要使用多少内存，如果盘内DRAM依然不能满足，则SSD缩减FTL的内存使用数量； SSD继续检测盘内DRAM，如果再次存在内存紧张或者有内存闲置则根据情况增大FTL的使用数量或者通过给主机发送中断的方式来通知主机，再次协商主机对盘内DRAM的使用数量。

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