中国科学院半导体研究所卫家奇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利雪崩光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411790055.7，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权雪崩光电探测器及其制备方法是由卫家奇;郑婉华;曹澎;彭红玲;宋春旭设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本雪崩光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种雪崩光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器和光电子材料技术领域，该雪崩光电探测器自下而上依次包括：InP衬底、第一欧姆接触层、缓冲层、倍增层、电荷控制层、渐变层、吸收层、第二欧姆接触层以及包层；其中，倍增层采用AlGaAsSb制成；渐变层采用Al组分渐变、In的组分保持不变的InxAlyGa1‑x‑yAs制成；吸收层采用多组周期交替层叠生长的InxGa1‑xAs和GaAsySb1‑y制成。本发明可以实现拓展波长的短波红外探测和较高的信噪比，并有效减少带隙差异引起的载流子捕获，减少界面处的晶格应变，从而降低缺陷密度，优化载流子从吸收层到倍增层的注入效率，因而提高器件性能。
本发明授权雪崩光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种雪崩光电探测器，其特征在于，自下而上依次包括：InP衬底、第一欧姆接触层、缓冲层、倍增层、电荷控制层、渐变层、吸收层、第二欧姆接触层以及包层； 其中，所述倍增层采用AlGaAsSb制成；所述渐变层采用Al组分渐变、In的组分保持不变的InxAlyGa1-x-yAs制成；所述吸收层采用多组周期交替层叠生长的InxGa1-xAs和GaAsySb1-y制成。
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