吉林大学王海波获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种自组装修饰介电层的方法及其在钙钛矿晶体管中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855452B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510013684.7，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种自组装修饰介电层的方法及其在钙钛矿晶体管中的应用是由王海波;张昊设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自组装修饰介电层的方法及其在钙钛矿晶体管中的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自组装修饰介电层的方法及其在钙钛矿晶体管中的应用，涉及有机无机金属卤化物钙钛矿场效应晶体管领域。有机无机金属卤化物钙钛矿薄膜缺陷多，结晶质量差。本发明采用分子自组装修饰介电层，在该介电层上制备出的钙钛矿薄膜结晶度较高、形貌较好，从而制备具有高载流子迁移率以及大电流开关比的钙钛矿场效应晶体管。本发明解决了目前有机无机金属卤化物钙钛矿场效应晶体管中钙钛矿半导体层薄膜质量差、载流子迁移率低的问题，从而能够获得高结晶性的钙钛矿薄膜。此种方法制备的介电层可以应用于有机无机金属卤化物钙钛矿场效应晶体管中，对于有机无机金属卤化物钙钛矿场效应晶体管的未来产业化进程具有至关重要的作用。
本发明授权一种自组装修饰介电层的方法及其在钙钛矿晶体管中的应用在权利要求书中公布了：1.一种自组装修饰介电层在钙钛矿晶体管中的应用，其特征在于，以自组装层修饰介电层作为钙钛矿场效应晶体管的介电层制备钙钛矿场效应晶体管，半导体层为有机无机金属卤化物钙钛矿，自组装层分子能够自组装在介电层上，所述自组装层分子是首端为氨基，末端为羧基的链状分子或硅氧烷的链状分子；自组装层与半导体层接触。
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