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龙图腾网获悉中山大学申请的专利集成式生物神经电极、制备方法及神经信号检测设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119856934B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510093820.8，技术领域涉及：A61B5/294；该发明授权集成式生物神经电极、制备方法及神经信号检测设备是由张佰君;曹鑫设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成式生物神经电极、制备方法及神经信号检测设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成式生物神经电极、制备方法及神经信号检测设备，应用于神经信号检测技术领域。集成式生物神经电极包括衬底和异质结ISHFET，异质结ISHFET包括异质结和设于异质结上的源漏电极，异质结中形成有二维电子气，源漏电极包括间隔设置的源极欧姆触点和漏极欧姆触点，且源极欧姆触点和漏极欧姆触点与二维电子气电连接；异质结ISHFET栅表面的神经信号调控二维电子气的电导率，使异质结ISHFET的源漏电流输出发生变化，实现生物神经信号的检出。本发明提出的集成式生物神经电极利用二维电子气的跨导放大效应进行生物神经信号检测，并可通过异质结REHFET进行差分处理，提升了生物神经信号的采集效率和采集质量。

本发明授权集成式生物神经电极、制备方法及神经信号检测设备在权利要求书中公布了：1.一种集成式生物神经电极，其特征在于，包括： 衬底； 多个间隔排列的第一场效应晶体管，设于所述衬底上，所述第一场效应晶体管包括异质结和设于所述异质结上的源漏电极；所述异质结包括由下往上依次叠设的GaN缓冲层、AlN插入层和AlGaN势垒层；所述GaN缓冲层中靠近与所述AlN插入层的界面形成有二维电子气；所述源漏电极包括间隔设置的源极欧姆触点和漏极欧姆触点，且所述源极欧姆触点和漏极欧姆触点与所述二维电子气电连接； 第一引线和第一焊盘，设于所述GaN缓冲层上；所述第一引线包括第一源极引线和第一漏极引线，所述第一焊盘包括第一源极焊盘和第一漏极焊盘；所述第一源极引线的一端与所述源极欧姆触点电连接，另一端与所述第一源极焊盘电连接；所述第一漏极引线的一端与所述漏极欧姆触点电连接，另一端与所述第一漏极焊盘电连接； 第一绝缘钝化层，覆盖于所述第一场效应晶体管和所述第一引线上；所述第一绝缘钝化层开设有第一栅极窗口和第一焊盘窗口，所述第一栅极窗口开设于所述源极欧姆触点和漏极欧姆触点之间，所述第一焊盘窗口开设于所述第一焊盘的上方； 多个微电极，设于所述GaN缓冲层上或者设于所述第一绝缘钝化层上，且与所述第一场效应晶体管间隔设置； 微电极引线和微电极焊盘，所述微电极引线连接所述微电极和所述微电极焊盘；当所述微电极设于所述GaN缓冲层上时，所述微电极引线和微电极焊盘设于所述GaN缓冲层上，所述第一绝缘钝化层在所述微电极上开设有微电极窗口以及在所述微电极焊盘上开设有微电极焊盘窗口；当所述微电极设于所述第一绝缘钝化层上时，所述微电极引线和微电极焊盘设于所述第一绝缘钝化层上，所述微电极与微电极引线上覆盖有第二绝缘钝化层，所述第二绝缘钝化层在所述源极欧姆触点和漏极欧姆触点之间开设有第一栅极窗口、在所述第一焊盘的上方开设有第一焊盘窗口、在所述微电极的上方开设有微电极窗口以及在所述微电极焊盘的上方开设有微电极焊盘窗口。

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