星钥半导体(武汉)有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉星钥半导体(武汉)有限公司申请的专利一种蚀刻腔室及刻蚀设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223771097U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422904437.X，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型一种蚀刻腔室及刻蚀设备是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种蚀刻腔室及刻蚀设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种蚀刻腔室及刻蚀设备，应用于半导体技术领域，包括腔体、静电吸盘和气流控制器；静电吸盘和气流控制器均设置于腔体内，腔体设置有进气通道以及出气通道，以在腔体内形成气体流动方向；在气体流动方向上气流控制器位于静电吸盘靠近进气通道的一侧；气流控制器包括呈阵列分布的多个气流控制单元和多个进气口，每个气流控制单元连接至少一个进气口，每个气流控制单元均单独与控制芯片通信连接。通过上述结构可以使得各个气流控制单元独立的工作，此时向腔体内通入气体时，通过上述气流控制器可以精确的控制进入腔体内刻蚀气体的位置，通过对刻蚀气体通入位置精确的调控可以提升刻蚀的均匀性。
本实用新型一种蚀刻腔室及刻蚀设备在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻腔室，其特征在于，包括腔体、静电吸盘和气流控制器； 所述静电吸盘和所述气流控制器均设置于所述腔体内，所述腔体设置有进气通道以及出气通道，以在所述腔体内形成气体流动方向；在所述气体流动方向上所述气流控制器位于所述静电吸盘靠近所述进气通道的一侧； 所述气流控制器包括呈阵列分布的多个气流控制单元和多个进气口，每个所述气流控制单元连接至少一个所述进气口，每个所述气流控制单元均单独与控制芯片通信连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人星钥半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来科技城龙山南街6号展想新思中心1号楼8楼808单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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