青岛航天半导体研究所有限公司王鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛航天半导体研究所有限公司申请的专利低功耗二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223772031U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423121087.6，技术领域涉及：H03K19/0956；该实用新型低功耗二极管是由王鹏飞;李汝河;王雨设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本低功耗二极管在说明书摘要公布了：本实用新型涉及低功耗二极管，其包括芯片IC2，并接的MOS管Q7、Q8，三极管Q10，电阻R16、R18,二极管D7；在芯片IC2中，脚4接入输入信号Vin1，脚6接入输出信号Vout；脚5接三极管Q10的基极；三极管集电极接入输入信号Vin1；在MOS管Q7中，源极接入输入信号Vin1，漏极接入输出信号Vout；栅极通过电阻R16接三极管Q10的集电极；在MOS管Q8中，源极接入输入信号Vin1，漏极接入输出信号Vout；栅极通过电阻接R18三极管Q10的集电极；本实用新型设计合理、结构紧凑且使用方便。
本实用新型低功耗二极管在权利要求书中公布了：1.一种低功耗二极管，其特征在于：包括功率组件2；功率组件2包括芯片IC2，并接的MOS管Q7、Q8，三极管Q10，电阻R16、R18,二极管D7； 在芯片IC2中，脚4接入输入信号Vin1，脚6接入输出信号Vout； 脚5接三极管Q10的基极；三极管集电极接入输入信号Vin1； 在MOS管Q7中，源极接入输入信号Vin1，漏极接入输出信号Vout；栅极通过电阻R16接三极管Q10的集电极； 在MOS管Q8中，源极接入输入信号Vin1，漏极接入输出信号Vout；栅极通过电阻接R18三极管Q10的集电极； 输出信号Vout通过电容C1接地； 二极管D7接在三极管Q10的基极与发射极之间。
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