台湾积体电路制造股份有限公司廖诗瑀获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利记忆体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223772419U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423301004.1，技术领域涉及：H10B12/00；该实用新型记忆体装置是由廖诗瑀;程仲良设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本记忆体装置在说明书摘要公布了：本揭露的一种态样为一记忆体装置。记忆体装置包含化合物半导体特征。化合物半导体特征包含第一部分作为第一源极漏极特征、第二部分作为通道、及第三部分作为第二源极漏极特征。第一部分位于第二部分上方，且第二部分位于第三部分上方，以及第二部分自第一部分垂直延伸至第三部分。记忆体装置包含水平地环绕包覆第二部分的栅极结构，以及直接接触且环绕包覆化合物半导体特征的电容结构。
本实用新型记忆体装置在权利要求书中公布了：1.一种记忆体装置，其特征在于，包含： 一化合物半导体特征，具有一第一部分作为一第一源极漏极特征、一第二部分作为一通道、及一第三部分作为一第二源极漏极特征，其中该第一部分位于该第二部分上方，且该第二部分位于该第三部分上方，以及该第二部分自该第一部分垂直延伸至该第三部分； 一栅极结构，水平地环绕包覆该第二部分；以及 一电容结构，直接接触且环绕包覆该化合物半导体特征。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励