台湾积体电路制造股份有限公司吴仕杰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223772422U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422956327.8，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置是由吴仕杰;李振铭;黄柏瑜;吴以雯;王美匀设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型实施例的半导体装置包含多个源极漏极区。半导体装置包括分别设置于所述源极漏极区的前侧上方的多个源极漏极接触件。所述源极漏极接触件电耦合到所述源极漏极区。所述半导体装置包括分别设置于源极漏极接触件的背侧上方的多个导通孔。背侧与正面相对。所述导通孔电耦合到所述源极漏极接触件。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于包括： 多个源极漏极区； 多个源极漏极接触件，分别设置于所述源极漏极区的前侧上方，其中所述源极漏极接触件电耦合至所述源极漏极区；以及 多个导通孔，分别设置于所述源极漏极接触件的背侧上方，其中所述背侧与所述前侧相对，并且其中所述导通孔电耦合到所述源极漏极接触件。
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