上海芯元基半导体科技有限公司郝茂盛获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利一种半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223772443U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520023155.0，技术领域涉及：H10H29/24；该实用新型一种半导体结构是由郝茂盛;陈朋;袁根如;张楠;马后永;马艳红;徐志伟;杨磊;魏帅帅;韦慧;王单单设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供的一种半导体结构中，第一电极与像素结构之间通过至少一个连接结构进行电性连接，且连接结构在钝化层上的投影图形的面积小于像素结构的底面面积，因此，在刻蚀像素结构来分离像素点时，不需要对金属进行刻蚀，从而避免了金属刻蚀时的碎屑飞溅，使得像素结构不易受损，进而提高了产品良率。此外，由于第一电极在绝缘层上的投影图形的直径大于连接结构在钝化层上的投影图形的直径，第一电极在绝缘层上的投影图形的直径大于若干个连接结构中心点之间的距离的两倍。因此，连接结构的排布密度大于第一电极的排布密度，从而使得第一电极并不需要与连接结构进行一对一的完全对准，进而使得在保证产品良率的同时降低了工艺要求。
本实用新型一种半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基板； 若干个第一电极，所述若干个第一电极间隔分布在所述基板上； 绝缘层，所述绝缘层位于所述基板上，所述第一电极位于所述绝缘层内且贯穿所述绝缘层； 钝化层，位于所述第一电极与所述绝缘层上； 若干个间隔分布的像素结构，所述像素结构位于所述钝化层上； 若干个间隔分布的连接结构，所述连接结构位于钝化层内且贯穿所述钝化层，所述第一电极与所述像素结构之间通过至少一个所述连接结构进行电性连接，所述钝化层和所述连接结构与所述绝缘层和所述第一电极之间是键合的，并且，所述连接结构在所述钝化层上的投影图形的面积小于所述像素结构的底面面积。
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