日月光半导体制造股份有限公司陈馨恩获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110911363B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910864404.8，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权半导体封装结构是由陈馨恩;胡逸群;杨金凤设计研发完成，并于2019-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体封装结构，其包含封装衬底、半导体裸片、蒸汽腔和热消散设备。所述封装衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述半导体裸片电连接到所述封装衬底的所述第一表面。所述蒸汽腔热连接到所述半导体裸片的第一表面。所述蒸汽腔界定用于容纳第一工作液体的封闭室。所述热消散设备热连接到所述蒸汽腔。所述热消散设备界定用于容纳第二工作液体的大体封闭空间。
本发明授权半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其包括： 封装衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面； 半导体裸片，其电连接到所述封装衬底的所述第一表面； 蒸汽腔，其热连接到所述半导体裸片的第一表面，其中所述蒸汽腔界定用于容纳第一工作液体的封闭室，所述蒸汽腔包含顶壁、底壁、顶部芯体结构、底部芯体结构、多个芯体棒和所述第一工作液体，所述顶壁和所述底壁在其外围边沿处密封在一起以界定所述封闭室，所述顶部芯体结构安置于所述顶壁的内表面上，所述底部芯体结构安置于所述底壁的内表面上，所述芯体棒中的每一个的两端相应地连接所述顶壁和所述底壁；和 热消散设备，其热连接到所述蒸汽腔，其中所述热消散设备界定用于容纳第二工作液体的大体封闭空间。
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