三星显示有限公司郑镕彬获国家专利权
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龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利显示装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111009531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910932351.9，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示装置及其制造方法是由郑镕彬;禹荣杰;金洸炫;孙尙佑;宋都根;李相旭;河宪植设计研发完成，并于2019-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了显示装置和显示装置的制造方法。显示装置包括基础衬底、有源图案、栅极绝缘层、栅电极、第一绝缘层以及源电极和漏电极，有源图案布置在基础衬底上，栅极绝缘层布置在有源图案上，栅电极布置在栅极绝缘层上并且与有源图案重叠，第一绝缘层布置在栅电极上并且具有约5原子百分比at.％至约30原子百分比的氢总量，并且源电极和漏电极布置在第一绝缘层上并且电连接到有源图案。
本发明授权显示装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，包括： 基础衬底； 有源图案，所述有源图案布置在所述基础衬底上； 栅极绝缘层，所述栅极绝缘层布置在所述有源图案上； 栅电极，所述栅电极布置在所述栅极绝缘层上并且与所述有源图案重叠，其中，所述栅电极包括：导电层，所述导电层包括铝Al或铝合金；第一覆盖层，所述第一覆盖层布置在所述导电层上并且包括氮化钛TiNx；以及第二覆盖层，所述第二覆盖层布置在所述第一覆盖层上并且包括钛Ti； 第一绝缘层，所述第一绝缘层布置在所述栅电极上，并且具有5原子百分比至30原子百分比的氢总量； 源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极布置在所述第一绝缘层上，并且电连接到所述有源图案； 第二绝缘层，所述第二绝缘层布置在所述第一绝缘层上；以及 存储电极，所述存储电极布置在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间，并且与所述栅电极重叠。
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