台湾积体电路制造股份有限公司邱士权获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111128891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911044191.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体装置及其制造方法是由邱士权;张家豪;游家权;林天禄;林佑明;王志豪设计研发完成，并于2019-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置的制造方法，此方法包含在鳍上外延成长源极漏极部件，在外延源极漏极部件上方形成硅化物层，在硅化物层上形成晶种金属层，使用由下而上成长方法在晶种金属层上方形成接触金属层，以及在接触金属层上方沉积填充金属层。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括: 在一鳍上外延成长一源极漏极部件，该源极漏极部件环绕该鳍的一上部； 在该源极漏极部件上方形成一硅化物层，其中该硅化物层的一部分在该鳍的一最顶表面下方； 在该硅化物层上形成一晶种金属层，其中该晶种金属层环绕该硅化物层； 使用一由下而上成长方法在该晶种金属层上方形成一接触金属层；以及 在该接触金属层上方沉积一填充金属层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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