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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111952312B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010411506.7，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权半导体装置是由金森宏治;金容锡;李炅奂;林濬熙;韩智勳设计研发完成，并于2020-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体结构，包括基底和电路元件；和第二半导体结构，连接到第一半导体结构。第二半导体结构包括基体层、第一存储器单元结构、第二存储器单元结构以及在第一存储器单元结构与第二存储器单元结构之间的共位线。第一存储器单元结构包括第一栅电极、第一沟道结构和第一串选择沟道结构。第二存储器单元结构包括第二栅电极、第二沟道结构、第二串选择沟道结构以及在第二沟道结构与第二串选择沟道结构之间的连接区域。第一存储器单元结构还包括在共位线与第一串选择沟道结构之间的第一沟道垫，并且第二存储器单元结构还包括沿共位线延伸的第二沟道垫。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括第一半导体结构和第二半导体结构，所述第一半导体结构包括基底和在所述基底上的电路元件，所述第二半导体结构连接到所述第一半导体结构，所述第二半导体结构包括基体层、第一存储器单元结构、第二存储器单元结构和共位线， 所述第一存储器单元结构包括： 第一栅电极，在所述基体层的第一表面上，在垂直于所述基体层的所述第一表面的方向上彼此间隔开； 第一沟道结构，穿过所述第一栅电极的一部分；以及 第一串选择沟道结构，在所述第一沟道结构的一端处连接到所述第一沟道结构，所述第一串选择沟道结构穿过所述第一栅电极的一部分； 所述第二存储器单元结构包括： 第二栅电极，垂直地与所述第一栅电极叠置并且在垂直于所述基体层的所述第一表面的所述方向上彼此间隔开； 第二沟道结构，穿过所述第二栅电极的一部分； 第二串选择沟道结构，在所述第二沟道结构的一端处连接到所述第二沟道结构，所述第二串选择沟道结构穿过所述第二栅电极的一部分；以及 连接区域，在所述第二沟道结构与所述第二串选择沟道结构之间，所述连接区域具有比所述第二沟道结构的宽度和所述第二串选择沟道结构的宽度宽的宽度； 所述共位线在所述第一存储器单元结构与所述第二存储器单元结构之间，所述共位线共同地电连接到所述第一串选择沟道结构和所述第二串选择沟道结构，其中， 所述第一存储器单元结构还包括在所述共位线与所述第一串选择沟道结构之间的第一沟道垫，并且 所述第二存储器单元结构还包括在所述共位线的面对所述第二存储器单元结构的第一表面上沿所述共位线的第二沟道垫。

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