三星电子株式会社孙仑焕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112086464B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010411002.5，技术领域涉及：H10B43/20；该发明授权半导体装置是由孙仑焕;千志成设计研发完成，并于2020-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一基底，在第一基底中限定第一区域和第二区域；第一堆叠结构，具有在第一基底上顺序地移位并堆叠的第一栅电极；第二堆叠结构，具有在第一堆叠结构上顺序地移位并堆叠的第二栅电极；结层，设置在第一堆叠结构与第二堆叠结构之间；第一层间绝缘层，设置在第一堆叠结构的侧表面上；第二层间绝缘层，覆盖第二堆叠结构；第一沟道孔，穿透上述结构和或层；以及第二沟道孔，穿透上述结构和或层。第一沟道孔的第二部分在与第一方向正交的第二方向上的高度小于第二沟道孔的第二部分在第二方向上的高度。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 第一基底，在第一基底中限定第一区域和第二区域； 第一堆叠结构，包括在第一基底上顺序地移位并堆叠的多个第一栅电极，所述多个第一栅电极在第一方向上的长度与所述多个第一栅电极离第二区域的第一基底的距离成比例地减小； 第二堆叠结构，包括在第一堆叠结构上顺序地移位并堆叠的多个第二栅电极； 结层，设置在第一堆叠结构与第二堆叠结构之间； 第一层间绝缘层，设置在第一堆叠结构的侧表面上； 第二层间绝缘层，覆盖第二堆叠结构； 第一沟道孔，在第一区域的第一基底上包括穿透第一堆叠结构的第一部分、穿透结层的第二部分和穿透第二堆叠结构的第三部分；以及 第二沟道孔，在第二区域的第一基底上包括穿透第一堆叠结构的第一部分、穿透第一层间绝缘层的第二部分和穿透第二层间绝缘层的第三部分， 其中，第一沟道孔的第二部分在与第一方向正交的第二方向上的高度小于第二沟道孔的第二部分在第二方向上的高度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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