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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112117282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911353740.2，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件是由千志成设计研发完成，并于2019-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件。该三维闪存器件包括：下部字线堆叠和上部字线堆叠；单元沟道结构；以及虚设沟道结构，其中单元沟道结构包括：下部单元沟道结构；上部单元沟道结构；以及单元沟道扩大部分，其在下部单元沟道结构和上部单元沟道结构之间并具有比下部单元沟道结构的宽度大的宽度，其中虚设沟道结构包括：下部虚设沟道结构；上部虚设沟道结构；以及在下部虚设沟道结构和上部虚设沟道结构之间的虚设沟道扩大部分，虚设沟道扩大部分具有比下部虚设沟道结构的宽度大的宽度，其中虚设沟道扩大部分的宽度和下部虚设沟道结构的宽度之间的差异大于单元沟道扩大部分的宽度和下部单元沟道结构的宽度之间的差异。

本发明授权包括具有扩大部分的沟道结构的三维闪存器件在权利要求书中公布了：1.一种三维闪存器件，具有单元区域和延伸区域，该三维闪存器件包括： 衬底； 在所述衬底上的下部字线堆叠和上部字线堆叠； 在所述下部字线堆叠和所述上部字线堆叠之间的层间电介质层； 在所述单元区域中的单元沟道结构；以及 在所述延伸区域中的虚设沟道结构， 其中所述单元沟道结构包括： 穿透所述下部字线堆叠并且连接到所述衬底的下部单元沟道结构； 穿透所述上部字线堆叠的上部单元沟道结构；和 在所述下部单元沟道结构和所述上部单元沟道结构之间的单元沟道扩大部分，所述单元沟道扩大部分具有比所述下部单元沟道结构的水平宽度大的水平宽度， 其中所述虚设沟道结构包括： 穿透所述下部字线堆叠并且连接到所述衬底的下部虚设沟道结构； 穿透所述上部字线堆叠的上部虚设沟道结构；和 在所述下部虚设沟道结构和所述上部虚设沟道结构之间的虚设沟道扩大部分，所述虚设沟道扩大部分具有比所述下部虚设沟道结构的水平宽度大的水平宽度； 其中所述虚设沟道扩大部分的所述水平宽度大于所述单元沟道扩大部分的所述水平宽度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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