意法半导体公司J·S·塔利多获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体公司申请的专利用于减少焊料中空隙的在裸片焊盘中有腔的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010597210.9，技术领域涉及：H10W74/15；该发明授权用于减少焊料中空隙的在裸片焊盘中有腔的半导体封装是由J·S·塔利多设计研发完成，并于2020-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于减少焊料中空隙的在裸片焊盘中有腔的半导体封装在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于减少焊料中空隙的在裸片焊盘中有腔的半导体封装。公开了一种半导体封装，其具有在裸片焊盘中的孔，并且在孔中的焊料与封装的表面共面。该封装包括裸片焊盘、多个引线、以及半导体裸片，该半导体裸片利用裸片附接材料耦合到裸片焊盘。通过裸片焊盘形成了腔或孔以暴露裸片附接材料的一部分。执行多个焊料回流，以减少在裸片附接材料中的空隙的存在。在第一焊料回流中，释放了在将裸片附接到裸片焊盘时形成的被捕获的气体的空隙。然后，在第二焊料回流中，焊料被添加到孔中，并且与裸片焊盘的表面共面。附加焊料可以具有与裸片附接材料相同或不同的材料。
本发明授权用于减少焊料中空隙的在裸片焊盘中有腔的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种设备，包括： 引线框架，其具有第一表面和第二表面，所述引线框架包括孔； 裸片，其具有第一表面和与所述裸片的所述第一表面相对的第二表面，所述裸片的所述第二表面被定位于所述引线框架的所述第一表面与所述第二表面之间；以及 第一材料，其在所述孔中并且具有第一表面和第二表面，所述第一材料的层的所述第一表面在所述引线框架的所述第一表面与所述第二表面之间，并且所述第一材料的所述第二表面与所述引线框架的所述第二表面共面，其中所述第一材料包括焊料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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