上海谙邦半导体设备有限公司邱勇获国家专利权
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龙图腾网获悉上海谙邦半导体设备有限公司申请的专利一种腔内晶圆寻心系统及其工作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112259486B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011279004.X,技术领域涉及:H10P72/50;该发明授权一种腔内晶圆寻心系统及其工作方法是由邱勇;张鹏兵;陈世名设计研发完成,并于2020-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种腔内晶圆寻心系统及其工作方法在说明书摘要公布了:一种腔内晶圆寻心系统及其工作方法,腔内晶圆寻心系统包括:主体腔;位于主体腔内的晶圆夹持平台,晶圆夹持平台的表面适于放置晶圆;贯穿晶圆夹持平台的若干位移孔;分别位于位移孔中的顶针,顶针适于在位移孔中往复移动,使顶针的顶头在高于晶圆夹持平台的上表面的位置至低于晶圆夹持平台的上表面的位置之间变化;若干光学定位单元,各个光学定位单元包括:光学探测部件;光学接收部件,光学探测部件适于向光学接收部件发射探测光,探测光适于部分照射在主体腔中的晶圆的边缘;修正单元,修正单元适于根据光学接收部件获取的光信息修正晶圆的位置。所述腔内晶圆寻心系统能够精确定位晶圆在主体腔中的位置,提高工艺重复性。
本发明授权一种腔内晶圆寻心系统及其工作方法在权利要求书中公布了:1.一种腔内晶圆寻心系统,其特征在于,所述腔内晶圆寻心系统为边缘刻蚀反应装置,包括: 主体腔; 位于所述主体腔内的晶圆夹持平台,所述晶圆夹持平台的表面适于放置晶圆;贯穿所述晶圆夹持平台的若干位移孔; 分别位于所述位移孔中的顶针,所述顶针适于在所述位移孔中往复移动,使所述顶针的顶头在高于所述晶圆夹持平台的上表面的位置至低于所述晶圆夹持平台的上表面的位置之间变化,其中顶针能够将晶圆顶离晶圆夹持平台或者将晶圆落在晶圆夹持平台的表面; 若干光学定位单元,各个光学定位单元包括:光学探测部件;光学接收部件,所述光学探测部件适于向所述光学接收部件发射探测光,所述探测光适于部分照射在主体腔中的晶圆的边缘,若干光学定位单元可针对位于顶针上的晶圆进行位置监测并实时调整修正晶圆的位置,使得晶圆的位置满足工艺的要求;修正单元,所述修正单元适于根据光学接收部件获取的光信息修正晶圆的位置;通过光学探测部件和光学接收部件对晶圆位置的监测、以及通过修正单元对晶圆的位置的修正,使得在对多个晶圆先后行工艺实施的过程中,多个晶圆在主体腔中的位置保持基本一致,所述腔内晶圆寻心系统能够精确定位和修正晶圆在主体腔内的位置; 位于所述晶圆夹持平台底部的顶针位置调节件,所述顶针位置调节件与所述顶针的底端接触; 一个腔内晶圆寻心系统中,所述若干光学定位单元的数量为至少三个,使得若干光学定位单元能够监测晶圆的位置; 位于所述主体腔内且位于所述晶圆夹持平台侧部的射频隔离环,射频隔离环覆盖晶圆夹持平台的部分侧壁;腔内晶圆寻心系统还包括:位于射频隔离环的部分上表面且与晶圆夹持平台的部分侧部接触的晶圆夹持平台保护环; 位于所述主体腔内的可移动上电极,所述可移动上电极和所述晶圆夹持平台相对设置;位于所述主体腔内的等离子体约束环,所述等离子体约束环位于所述可移动上电极的边缘区域的底部,所述等离子体约束环与所述射频隔离环之间具有间隙; 贯穿所述主体腔的顶壁和所述可移动上电极的边缘区域的若干第一探测通道,所述第一探测通道至所述可移动上电极的中心的距离小于所述等离子体约束环至所述可移动上电极的中心的距离; 位于所述第一探测通道的底部且与所述第一探测通道一一对应的第二探测通道,所述第二探测通道位于所述射频隔离环内; 所述光学探测部件位于所述第一探测通道上方且覆盖所述主体腔的部分顶面;所述光学接收部件位于所述主体腔内且位于所述第二探测通道的下方。
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