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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113745117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111024378.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管及其制造方法是由乐双申;何增谊;张立波;董建新;吴兴敏设计研发完成，并于2021-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管及其制造方法，该晶体管由于制作过程中选择性地对栅极沟槽对应的氧化层进行刻蚀后，在正表面上再次沉淀氧化物，因此，该晶体管栅极沟槽和源极沟槽之间的氧化层呈阶梯状，靠近源极沟槽的氧化层的厚度大于靠近栅极沟槽的氧化层的厚度，由于制造过程中通过光刻胶等临时保护材料对源极沟槽的遮蔽，使得源极沟槽内填充的氧化层中不再出现凹坑，避免了源极沟槽内的氧化层上的凹坑内进入栅极多晶硅，导致具备SGT结构的MOSFET存在栅极源极短路的风险。

本发明授权一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管制造方法，其特征在于，包括， 在衬底上生长外延层，在所述外延层背离所述衬底的正表面上刻蚀出栅极沟槽和源极沟槽，在所述正表面上生长氧化物形成第一氧化层，使得所述第一氧化层覆盖所述栅极沟槽和所述源极沟槽的槽底和槽壁； 向所述栅极沟槽和所述源极沟槽中分别填充满栅极多晶硅和源极多晶硅； 对所述栅极沟槽中栅极多晶硅进行刻蚀直到所述栅极沟槽中剩余部分栅极多晶硅，并保留源极沟槽中的所有源极多晶硅； 对所述栅极沟槽区域中的第一氧化层进行刻蚀； 在所述正表面继续生长氧化物形成第二氧化层，使得所述第二氧化层覆盖所述栅极沟槽中的栅极多晶硅； 向所述栅极沟槽继续填充栅极多晶硅至所述栅极沟槽的槽口； 在向所述栅极沟槽和所述源极沟槽中分别填充满栅极多晶硅和源极多晶硅之后，对所述栅极沟槽中的第一氧化层进行刻蚀之前，所述方法还包括： 对所述正表面上的所述第一氧化层进行刻蚀减薄处理，以使所述源极多晶硅和栅极多晶硅背离所述衬底的表面高出所述减薄处理后的第一氧化层的表面； 其中，经过减薄后正表面上的第一氧化层厚度减薄至至之间，所述源极多晶硅比第一氧化层高出至

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