德州仪器公司A·C·阿帕索瓦米获国家专利权
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龙图腾网获悉德州仪器公司申请的专利双极半导体可控整流器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921518B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111174766.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权双极半导体可控整流器是由A·C·阿帕索瓦米;S·菲利普斯设计研发完成，并于2017-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本双极半导体可控整流器在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及双极半导体可控整流器。在所描述的实例中，高电压双极半导体可控整流器SCR100包含：发射极区102，其具有第一极性且上覆于具有不同于所述第一极性的第二极性的基极区104；集电极区106、108，其具有所述第一极性且处于所述基极区104之下；阳极区114、116、120，其具有所述第二极性；第一沉降区118，其具有所述第一极性且接触所述集电极区106、108，其中所述阳极区114、116、120在所述第一沉降区118与所述基极区104之间；以及第二沉降区112，其具有所述第一极性且接触所述集电极区106、108、110，所述第二沉降区112处于所述阳极区114、116、120与所述基极区104之间，其中所述阳极区114、116、120的延伸部120在所述第二沉降区112的部分之下延伸。
本发明授权双极半导体可控整流器在权利要求书中公布了：1.一种双极半导体可控整流器，其包括： 发射极区，其具有第一导电类型且上覆于基极区，所述基极区具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型； 集电极区，其具有所述第一导电类型且处于所述基极区之下； 阳极区，其具有所述第二导电类型； 第一沉降区，其具有所述第一导电类型且接触所述集电极区，其中所述阳极区在所述第一沉降区与所述基极区之间；以及 第二沉降区，其具有所述第一导电类型且接触所述集电极区，所述第二沉降区处于所述阳极区与所述基极区之间，其中所述阳极区的深度大于所述第二沉降区的深度，并且所述阳极区接触所述第二沉降区的底部并在所述第二沉降区的所述底部的垂直下方的位置接触所述集电极区。
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