日月光半导体制造股份有限公司呂文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948487B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111019353.2，技术领域涉及：H10W70/65；该发明授权半导体封装结构及其制造方法是由呂文隆设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体封装结构及其制造方法，通过在位于第一芯片和第二芯片之间间隙下方的桥接线路上设置加强结构，其中加强结构包括环绕在桥接线路周围的边缘侧向支撑件以及位于桥接线路上方的顶部支撑件。当加强结构承受应力时,垂直于加强结构之应力分量可被加强结构本身材料强度抵抗而相互抵消。平行于加强结构之应力分量，由于有边缘侧向支撑件固定顶部支撑件,因而可以提供足够的应力抵抗能力，进而可以避免桥接线路承受结构应力带来的冲击，防止桥接线路断裂。
本发明授权半导体封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，包括： 第一芯片； 第二芯片，与所述第一芯片相邻设置； 重布线层，包括桥接线路和位于所述桥接线路上方的加强结构，所述桥接线路位于所述第一芯片和所述第二芯片之间间隙的下方，所述加强结构具有边缘侧向支撑件和顶部支撑件，所述边缘侧向支撑件延伸至所述重布线层的边缘并环绕在所述桥接线路周围，所述顶部支撑件位于所述边缘侧向支撑件之间并设于所述桥接线路上方； 底部填充材，填充于所述第一芯片的底部和所述第二芯片的底部，并接触所述重布线层和所述加强结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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