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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948638B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111201084.1，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器及其制备方法是由岳建岭;陈晓平;胡海龙;黄小忠设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器，包括底电极、涂覆于所述底电极表面的存储介质层、沉积于所述存储介质层表面的顶电极；其中，所述底电极通过在衬底上沉积导电膜层制备得到；所述存储介质层为勃姆石薄膜层；所述顶电极为沉积于所述储存介质层表面的金属薄膜电极。本发明的高稳定性多值勃姆石基忆阻器，有多值存储特性，稳定性高，其中的存储介质层具有优异的生物相容性，在可植入生物忆阻器领域具有重要应用。本发明还提供一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器的制备方法。

本发明授权一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多值勃姆石基忆阻器，其特征在于，包括底电极、涂覆于所述底电极表面的存储介质层、沉积于所述存储介质层表面的顶电极； 其中，所述底电极通过在衬底上沉积导电膜层制备得到；所述存储介质层为勃姆石薄膜层；所述顶电极为沉积于所述存储介质层表面的金属薄膜电极；所述存储介质层的厚度为300-2000nm； 所述存储介质层的成型工艺为： 通过溶胶-凝胶法制备得到勃姆石溶胶，然后采用旋涂或滴涂工艺涂覆在底电极表面上，干燥后制备得到；具体的，勃姆石溶胶的制备方法包括如下步骤： a1、将一定量的纯水在75~85℃之间保温，称取适量的异丙醇铝料缓慢加入纯水中，控制异丙醇铝与水的摩尔比为1:75，水解1-3h； b2、滴加纯水量1~10‰的硝酸作为胶溶剂，使沉淀分散，然后继续搅拌1~3h，得到澄清透明的勃姆石溶胶； 或通过水热法制备得到勃姆石纳米颗粒，并分散到液相中形成悬浊液，然后采用旋涂或滴涂工艺涂覆在底电极表面上，干燥后制备得到；具体的，勃姆石纳米颗粒悬浊液的制备方法包括如下步骤： a、将1~3molLNaOH溶液缓慢滴入装有0.015~0.035molL的AlCl3溶液的烧瓶中，将溶液调至pH=8~10，搅拌均匀；将混合液放入反应釜中，调节反应温度至160℃~220℃，保温18~32h；反应完成后，分别用乙醇和去离子水洗涤离心，干燥，得到勃姆石纳米片； b、将勃姆石纳米片分散至水或无水乙醇中，制得勃姆石纳米颗粒悬浊液，且悬浊液的浓度控制在0.5~1.5mgmL。

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